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APTM10UM01FAG |
SP6 | Microsemi Power Products Group | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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APTM10UM01FAG参数 产品类别：半导体模块-FET 说明：MOSFET N-CH 100V 860A SP6 包装数量：1 包装形式：散装 PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：860A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 毫欧 @ 275A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 12mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：2100nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：60000pF @ 25V 功率 - 最大：2500W 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 磁性 - 霍尔效应OMH090B 蜂鸣器AT-5010 单二极管/齐纳MMSZ5223BS-7-F 保护继电器和系统K2CM-4H 薄膜电容器ECQ-E6274KFB 铝电容器UPS1E102MHD FET - 单IXFH15N100P 标签，标记TTP200CL-10 接线座 - 隔板块433613-23-0 FFC，FPC（扁A9CCG-0508F |
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